FGA30N120FTDTU
FGA30N120FTDTU
Artikelnummer:
FGA30N120FTDTU
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT 1200V 60A 339W TO3P
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
25610 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FGA30N120FTDTU.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2V @ 15V, 30A
Testbedingung:-
Td (ein / aus) bei 25 ° C:-
Schaltenergie:-
Supplier Device-Gehäuse:TO-3PN
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):730ns
Leistung - max:339W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-3P-3, SC-65-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:44 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:Trench Field Stop
Gate-Ladung:208nC
detaillierte Beschreibung:IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 339W Through Hole TO-3PN
Strom - Collector Pulsed (Icm):90A
Strom - Kollektor (Ic) (max):60A
Email:[email protected]

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