FGA25N120ANTDTU-F109
FGA25N120ANTDTU-F109
Artikelnummer:
FGA25N120ANTDTU-F109
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
42869 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FGA25N120ANTDTU-F109.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
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Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.65V @ 15V, 50A
Testbedingung:600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:50ns/190ns
Schaltenergie:4.1mJ (on), 960µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-3P
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):350ns
Leistung - max:312W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-3P-3, SC-65-3
Andere Namen:FGA25N120ANTDTU_F109
FGA25N120ANTDTU_F109-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:NPT and Trench
Gate-Ladung:200nC
detaillierte Beschreibung:IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P
Strom - Collector Pulsed (Icm):90A
Strom - Kollektor (Ic) (max):50A
Basisteilenummer:FGA25N120A
Email:[email protected]

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