DTD114GCT116
DTD114GCT116
Artikelnummer:
DTD114GCT116
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
35231 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.DTD114GCT116.pdf2.DTD114GCT116.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:SST3
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):10 kOhms
Leistung - max:200mW
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen:DTD114GCT116DKR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:200MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:56 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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