DTD114ECHZGT116
DTD114ECHZGT116
Artikelnummer:
DTD114ECHZGT116
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
74193 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.DTD114ECHZGT116.pdf2.DTD114ECHZGT116.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased + Diode
Supplier Device-Gehäuse:SST3
Serie:Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2):10 kOhms
Widerstand - Basis (R1):10 kOhms
Leistung - max:200mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen:DTD114ECHZGT116TR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:200MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:56 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):-
Strom - Kollektor (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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