AS6C6416-55BIN
AS6C6416-55BIN
Artikelnummer:
AS6C6416-55BIN
Hersteller:
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung:
IC SRAM 64M PARALLEL 48TFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
90745 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
AS6C6416-55BIN.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:55ns
Spannungsversorgung:2.7 V ~ 3.6 V
Technologie:SRAM
Supplier Device-Gehäuse:48-TFBGA (8x10)
Serie:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:48-LFBGA
Andere Namen:1450-1465
AS6C6416-55BIN-ND
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:64Mb (4M x 16)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit:8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 55ns 48-TFBGA (8x10)
Zugriffszeit:55ns
Email:[email protected]

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