| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 55ns |
| Tensione di alimentazione -: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | SRAM |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 48-TFBGA (8x10) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 48-LFBGA |
| Altri nomi: | 1450-1465 AS6C6416-55BIN-ND |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 64Mb (4M x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | SRAM |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 55ns 48-TFBGA (8x10) |
| Tempo di accesso: | 55ns |
| Email: | [email protected] |
