| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 55ns |
| الجهد - توريد: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| تكنولوجيا: | SRAM |
| تجار الأجهزة حزمة: | 48-TFBGA (8x10) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 48-LFBGA |
| اسماء اخرى: | 1450-1465 AS6C6416-55BIN-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Volatile |
| حجم الذاكرة: | 64Mb (4M x 16) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | SRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 55ns 48-TFBGA (8x10) |
| وقت الدخول: | 55ns |
| Email: | [email protected] |
