APTMC120AM16CD3AG
APTMC120AM16CD3AG
Artikelnummer:
APTMC120AM16CD3AG
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
61621 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
APTMC120AM16CD3AG.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 5mA (Typ)
Supplier Device-Gehäuse:D3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 100A, 20V
Leistung - max:625W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:D-3 Module
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:4750pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:246nC @ 20V
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal:Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss):1200V (1.2kV)
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 131A (Tc) 625W Chassis Mount D3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:131A (Tc)
Email:[email protected]

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