APTM60A23FT1G
Artikelnummer:
APTM60A23FT1G
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
38064 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
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Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse:SP1
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:276 mOhm @ 17A, 10V
Leistung - max:208W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:SP1
Andere Namen:APTM60A23UT1G
APTM60A23UT1G-ND
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:5316pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:165nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal:Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:20A
Email:[email protected]

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