| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 5mA (Typ) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | D3 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 20 mOhm @ 100A, 20V |
| Moc - Max: | 625W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | D-3 Module |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 32 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 4750pF @ 1000V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 246nC @ 20V |
| Rodzaj FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Cecha FET: | Silicon Carbide (SiC) |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 131A (Tc) 625W Chassis Mount D3 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 131A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
