TK9A60D(STA4,Q,M)
TK9A60D(STA4,Q,M)
Part Number:
TK9A60D(STA4,Q,M)
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Popis:
MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bez olova / V souladu RoHS
Množství:
56563 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
TK9A60D(STA4,Q,M).pdf

Úvod

TK9A60D(STA4,Q,M) nejlepší cenu a rychlé dodání.
BOSER Technology je distributorem TK9A60D(STA4,Q,M), máme zásoby pro okamžitou expedici a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky. Prosím, pošlete nám svůj nákupní plán pro TK9A60D(STA4,Q,M) e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New and Original
Původ Contact us
Distributor Boser Technology
Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-220SIS
Série:π-MOSVII
RDS On (Max) @ Id, Vgs:830 mOhm @ 4.5A, 10V
Ztráta energie (Max):45W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-220-3 Full Pack
Ostatní jména:TK9A60D(STA4QM)
TK9A60DSTA4QM
Provozní teplota:150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):600V
Detailní popis:N-Channel 600V 9A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře