TK9A60D(STA4,Q,M)
TK9A60D(STA4,Q,M)
Номер на частта:
TK9A60D(STA4,Q,M)
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
описание:
MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без олово / RoHS съвместим
количество:
56563 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
TK9A60D(STA4,Q,M).pdf

Въведение

TK9A60D(STA4,Q,M) най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за TK9A60D(STA4,Q,M), ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за TK9A60D(STA4,Q,M) по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (макс):±30V
технология:MOSFET (Metal Oxide)
Пакет на доставчик на устройства:TO-220SIS
серия:π-MOSVII
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:830 mOhm @ 4.5A, 10V
Разсейване на мощност (макс.):45W (Tc)
Опаковка:Tube
Пакет / касета:TO-220-3 Full Pack
Други имена:TK9A60D(STA4QM)
TK9A60DSTA4QM
Работна температура:150°C (TJ)
Тип монтаж:Through Hole
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:1200pF @ 25V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:24nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Feature:-
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On):10V
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):600V
Подробно описание:N-Channel 600V 9A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Latest News