TK9A60D(STA4,Q,M)
TK9A60D(STA4,Q,M)
رقم القطعة:
TK9A60D(STA4,Q,M)
الصانع:
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف:
MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
56563 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
TK9A60D(STA4,Q,M).pdf

المقدمة

أفضل سعر TK9A60D(STA4,Q,M) وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ TK9A60D(STA4,Q,M) ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على TK9A60D(STA4,Q,M) عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 1mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220SIS
سلسلة:π-MOSVII
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:830 mOhm @ 4.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):45W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3 Full Pack
اسماء اخرى:TK9A60D(STA4QM)
TK9A60DSTA4QM
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1200pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:24nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف تفصيلي:N-Channel 600V 9A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات