TK9A60D(STA4,Q,M)
TK9A60D(STA4,Q,M)
部品型番:
TK9A60D(STA4,Q,M)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
56563 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
TK9A60D(STA4,Q,M).pdf

簡潔な

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 1mA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220SIS
シリーズ:π-MOSVII
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):830 mOhm @ 4.5A, 10V
電力消費(最大):45W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
他の名前:TK9A60D(STA4QM)
TK9A60DSTA4QM
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1200pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:24nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:600V
詳細な説明:N-Channel 600V 9A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):9A (Ta)
Email:[email protected]

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