| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D3Pak |
| سلسلة: | POWER MOS 8™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 900 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 337W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2471pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 80nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 800V 12A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3Pak |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT11GP60BDQBG | Microsemi | IGBT 600V 41A 187W TO247 | تحقيق |
|
APT10SCD120BCT | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | تحقيق |
 |
APT1204R7KFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 | تحقيق |
|
APT11F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | تحقيق |
|
APT11GF120KRG | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | تحقيق |
|
APT10M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP | تحقيق |
|
APT1201R4BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 | تحقيق |
 |
APT12031JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 | تحقيق |
|
APT11GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | تحقيق |
|
APT10SCD65KCT | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | تحقيق |
|
APT1204R7BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 | تحقيق |
|
APT10M11JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | تحقيق |
 |
APT10SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | تحقيق |
 |
APT10M11B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | تحقيق |
 |
APT10M11JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | تحقيق |
|
APT11N80KC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | تحقيق |
 |
APT10SCD65K | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | تحقيق |
|
APT11N80BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | تحقيق |
|
APT12057B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | تحقيق |
|
APT10SCD120K | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 | تحقيق |