| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 2.5mA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 11 mOhm @ 71A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 450W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| اسماء اخرى: | APT10M11JVRU3MI APT10M11JVRU3MI-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 8600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 300nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 100V 142A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 142A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT10M09B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | تحقيق |
|
APT10M11B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | تحقيق |
 |
APT10DC120HJ | Microsemi | DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 | تحقيق |
 |
APT10SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | تحقيق |
 |
APT10SCD65K | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | تحقيق |
|
APT106N60B2C6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 | تحقيق |
 |
APT11GP60BDQBG | Microsemi | IGBT 600V 41A 187W TO247 | تحقيق |
|
APT11F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | تحقيق |
|
APT10SCD120K | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 | تحقيق |
|
APT102GA60B2 | Microsemi | IGBT 600V 183A 780W TO247 | تحقيق |
 |
APT10SCD65KCT | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | تحقيق |
|
APT10M07JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP | تحقيق |
 |
APT100S20LCTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 | تحقيق |
 |
APT11F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | تحقيق |
|
APT10M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP | تحقيق |
 |
APT10M11JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | تحقيق |
|
APT10SCD120BCT | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | تحقيق |
|
APT11GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | تحقيق |
|
APT102GA60L | Microsemi | IGBT 600V 183A 780W TO264 | تحقيق |
|
APT11GF120KRG | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | تحقيق |