| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.5V @ 15V, 62A |
| اختبار حالة: | 400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 28ns/212ns |
| تحويل الطاقة: | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-264 [L] |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 780W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| اسماء اخرى: | APT102GA60LMI APT102GA60LMI-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| بوابة المسؤول: | 294nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole TO-264 [L] |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 307A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 183A |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT100S20BG | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 | تحقيق |
 |
APT100MC120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP | تحقيق |
|
APT10SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | تحقيق |
 |
APT100GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | تحقيق |
|
APT100GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 148A 500W SOT227 | تحقيق |
 |
APT10M11JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | تحقيق |
|
APT100M50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT100S20LCTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 | تحقيق |
 |
APT10M09B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | تحقيق |
|
APT10M11JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | تحقيق |
|
APT100GT60JRDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 148A 500W SOT227 | تحقيق |
 |
APT10SCD120BCT | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | تحقيق |
|
APT102GA60B2 | Microsemi | IGBT 600V 183A 780W TO247 | تحقيق |
 |
APT10M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP | تحقيق |
|
APT10M07JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP | تحقيق |
|
APT100GT60B2RG | Microsemi | IGBT 600V 148A 500W SOT247 | تحقيق |
|
APT106N60B2C6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 | تحقيق |
|
APT100GT120JU3 | Microsemi | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | تحقيق |
|
APT10M11B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | تحقيق |
|
APT10DC120HJ | Microsemi | DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 | تحقيق |