| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.8V @ 10A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 650V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220 |
| سرعة: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 0ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Silicon Carbide Schottky |
| تكوين الصمام الثنائي: | 1 Pair Common Cathode |
| وصف تفصيلي: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220-3 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 200µA @ 650V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 17A |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT10SCD120BCT | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | تحقيق |
 |
APT10SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | تحقيق |
|
APT11GP60BDQBG | Microsemi | IGBT 600V 41A 187W TO247 | تحقيق |
|
APT11GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | تحقيق |
 |
APT10M09B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | تحقيق |
|
APT1201R4BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 | تحقيق |
 |
APT10M11JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | تحقيق |
|
APT1204R7BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 | تحقيق |
|
APT10M11B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | تحقيق |
 |
APT10M11JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | تحقيق |
 |
APT10M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP | تحقيق |
|
APT11N80BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | تحقيق |
|
APT11GF120KRG | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | تحقيق |
|
APT10M07JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP | تحقيق |
 |
APT11F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | تحقيق |
|
APT11N80KC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | تحقيق |
 |
APT10SCD65K | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | تحقيق |
|
APT10SCD120K | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 | تحقيق |
|
APT12031JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 | تحقيق |
|
APT11F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | تحقيق |