| Condizione | New and Original |
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| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D3Pak |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 900 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 337W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2471pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 800V 12A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3Pak |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
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APT11GP60BDQBG | Microsemi | IGBT 600V 41A 187W TO247 | Inchiesta |
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APT10SCD120BCT | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | Inchiesta |
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APT1204R7KFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 | Inchiesta |
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APT11F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | Inchiesta |
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APT11GF120KRG | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | Inchiesta |
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APT10M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP | Inchiesta |
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APT1201R4BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 | Inchiesta |
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APT12031JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 | Inchiesta |
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APT11GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | Inchiesta |
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APT10SCD65KCT | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | Inchiesta |
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APT1204R7BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 | Inchiesta |
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APT10M11JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | Inchiesta |
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APT10SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | Inchiesta |
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APT10M11B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | Inchiesta |
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APT10M11JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | Inchiesta |
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APT11N80KC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | Inchiesta |
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APT10SCD65K | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | Inchiesta |
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APT11N80BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | Inchiesta |
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APT12057B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | Inchiesta |
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APT10SCD120K | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 | Inchiesta |