TPS1101DR
型號:
TPS1101DR
製造商:
TI
描述:
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
48986 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
TPS1101DR.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:1.5V @ 250µA
Vgs(最大):+2V, -15V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:8-SOIC
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:90 mOhm @ 2.5A, 10V
功率耗散(最大):791mW (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:8 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:11.25nC @ 10V
FET型:P-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):2.7V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):15V
詳細說明:P-Channel 15V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
電流 - 25°C連續排水(Id):2.3A (Ta)
Email:[email protected]

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