TK31J60W,S1VQ
TK31J60W,S1VQ
型號:
TK31J60W,S1VQ
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
55379 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
TK31J60W,S1VQ.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:3.7V @ 1.5mA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-3P(N)
系列:DTMOSIV
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:88 mOhm @ 15.4A, 10V
功率耗散(最大):230W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-3P-3, SC-65-3
其他名稱:TK31J60W,S1VQ(O
TK31J60WS1VQ
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:3000pF @ 300V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:86nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:Super Junction
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):600V
詳細說明:N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
電流 - 25°C連續排水(Id):30.8A (Ta)
Email:[email protected]

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