STGW10M65DF2
STGW10M65DF2
型號:
STGW10M65DF2
製造商:
STMicroelectronics
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
30311 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
STGW10M65DF2.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):650V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2V @ 15V, 10A
測試條件:400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Td(開/關)@ 25°C:19ns/91ns
開關能量:120µJ (on), 270µJ (off)
供應商設備封裝:TO-247
系列:M
反向恢復時間(trr):96ns
功率 - 最大:115W
封装:Tube
封裝/箱體:TO-247-3
其他名稱:497-16969
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:42 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入類型:Standard
IGBT類型:Trench Field Stop
柵極電荷:28nC
詳細說明:IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Through Hole TO-247
電流 - 集電極脈衝(ICM):40A
電流 - 集電極(Ic)(最大):20A
Email:[email protected]

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