STGP4M65DF2
STGP4M65DF2
型號:
STGP4M65DF2
製造商:
STMicroelectronics
描述:
IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
80272 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
1.STGP4M65DF2.pdf2.STGP4M65DF2.pdf

簡單介紹

STGP4M65DF2最優惠的價格和快速交貨。
BOSER Technology 是STGP4M65DF2的經銷商,我們有立即發貨的股票,也可供長期供應。請通過電子郵件將您的STGP4M65DF2購買計劃發送給我們,我們將根據您的計劃為您提供最優惠的價格。
我們的電子郵箱:[email protected]

產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):650V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.1V @ 15V, 4A
測試條件:400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Td(開/關)@ 25°C:12ns/86ns
開關能量:40µJ (on), 136µJ (off)
供應商設備封裝:TO-220AB
系列:M
反向恢復時間(trr):133ns
功率 - 最大:68W
封裝/箱體:TO-220-3
其他名稱:497-17548
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級(MSL):Not Applicable
製造商標準交貨期:42 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入類型:Standard
IGBT類型:Trench Field Stop
柵極電荷:15.2nC
詳細說明:IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Through Hole TO-220AB
電流 - 集電極脈衝(ICM):16A
電流 - 集電極(Ic)(最大):8A
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求