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狀況 | New and Original |
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來源 | Contact us |
分銷商 | Boser Technology |
VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±25V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | I-PAK |
系列: | MDmesh™ II |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 450 mOhm @ 5A, 10V |
功率耗散(最大): | 90W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
其他名稱: | 497-5963-5 |
工作溫度: | 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 850pF @ 50V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 31nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
詳細說明: | N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 10A (Tc) |
Email: | [email protected] |