STB11NM60FDT4
STB11NM60FDT4
型號:
STB11NM60FDT4
製造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
42369 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
STB11NM60FDT4.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:5V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:D2PAK
系列:FDmesh™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:450 mOhm @ 5.5A, 10V
功率耗散(最大):160W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名稱:497-3511-2
工作溫度:-
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:900pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:40nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):600V
詳細說明:N-Channel 600V 11A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
電流 - 25°C連續排水(Id):11A (Tc)
Email:[email protected]

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