SSM6J512NU,LF
SSM6J512NU,LF
型號:
SSM6J512NU,LF
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
58044 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
SSM6J512NU,LF.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:1V @ 1mA
Vgs(最大):±10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:6-UDFNB (2x2)
系列:U-MOSVII
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:16.2 mOhm @ 4A, 8V
功率耗散(最大):1.25W (Ta)
封装:Cut Tape (CT)
封裝/箱體:6-WDFN Exposed Pad
其他名稱:SSM6J512NULFCT
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1400pF @ 6V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:19.5nC @ 4.5V
FET型:P-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):1.8V, 8V
漏極至源極電壓(Vdss):12V
詳細說明:P-Channel 12V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
電流 - 25°C連續排水(Id):10A (Ta)
Email:[email protected]

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