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SQJ204EP-T1_GE3
- 型號:
- SQJ204EP-T1_GE3
- 描述:
- MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 無鉛/符合RoHS
- 數量:
- 29685 Pieces
- 發貨時間:
- 1-2 days
簡單介紹
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產品特性
| 狀況 | New and Original |
|---|---|
| 來源 | Contact us |
| 分銷商 | Boser Technology |
| VGS（TH）（最大）@標識: | 1.5V @ 250µA |
| 供應商設備封裝: | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓: | 8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V |
| 功率 - 最大: | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 其他名稱: | SQJ204EP-T1_GE3TR |
| 工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 47 Weeks |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds: | 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 20nC @ 10V, 50nC @ 10V |
| FET型: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET特點: | Standard |
| 漏極至源極電壓（Vdss）: | 12V |
| 詳細說明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 12V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| 電流 - 25°C連續排水（Id）: | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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