SIR880DP-T1-GE3
SIR880DP-T1-GE3
型號:
SIR880DP-T1-GE3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
45292 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
SIR880DP-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:2.8V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PowerPAK® SO-8
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:5.9 mOhm @ 20A, 10V
功率耗散(最大):6.25W (Ta), 104W (Tc)
封装:Original-Reel®
封裝/箱體:PowerPAK® SO-8
其他名稱:SIR880DP-T1-GE3DKR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:2440pF @ 40V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:74nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):80V
詳細說明:N-Channel 80V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
電流 - 25°C連續排水(Id):60A (Tc)
Email:[email protected]

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