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狀況 | New and Original |
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來源 | Contact us |
分銷商 | Boser Technology |
電壓 - 測試: | 580pF @ 20V |
電壓 - 擊穿: | 8-SO |
VGS(TH)(最大)@標識: | 20 mOhm @ 10A, 10V |
系列: | TrenchFET® |
RoHS狀態: | Tape & Reel (TR) |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 9.2A |
功率 - 最大: | 3.1W |
極化: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名稱: | SI4288DY-T1-GE3TR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 24 Weeks |
製造商零件編號: | SI4288DY-T1-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 15nC @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
FET特點: | 2 N-Channel (Dual) |
展開說明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SO |
漏極至源極電壓(Vdss): | Logic Level Gate |
描述: | MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 40V |
Email: | [email protected] |