SI3493DV-T1-GE3
SI3493DV-T1-GE3
型號:
SI3493DV-T1-GE3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
59804 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
SI3493DV-T1-GE3.pdf

簡單介紹

SI3493DV-T1-GE3最優惠的價格和快速交貨。
BOSER Technology 是SI3493DV-T1-GE3的經銷商,我們有立即發貨的股票,也可供長期供應。請通過電子郵件將您的SI3493DV-T1-GE3購買計劃發送給我們,我們將根據您的計劃為您提供最優惠的價格。
我們的電子郵箱:[email protected]

產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:1V @ 250µA
Vgs(最大):±8V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:6-TSOP
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:27 mOhm @ 7A, 4.5V
功率耗散(最大):1.1W (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:32nC @ 4.5V
FET型:P-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):1.8V, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
詳細說明:P-Channel 20V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
電流 - 25°C連續排水(Id):5.3A (Ta)
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求