SI3451DV-T1-E3
SI3451DV-T1-E3
型號:
SI3451DV-T1-E3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
58860 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
SI3451DV-T1-E3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:1.5V @ 250µA
Vgs(最大):±12V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:6-TSOP
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:115 mOhm @ 2.6A, 4.5V
功率耗散(最大):1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
其他名稱:SI3451DV-T1-E3TR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:250pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:5.1nC @ 5V
FET型:P-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):2.5V, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
詳細說明:P-Channel 20V 2.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
電流 - 25°C連續排水(Id):2.8A (Tc)
Email:[email protected]

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