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狀況 | New and Original |
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來源 | Contact us |
分銷商 | Boser Technology |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 300mV @ 500µA, 5mA |
晶體管類型: | NPN - Pre-Biased |
供應商設備封裝: | VESM |
系列: | - |
電阻器 - 基座(R1): | 4.7 kOhms |
功率 - 最大: | 150mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | SOT-723 |
其他名稱: | RN1110MFV(TL3,T) RN1110MFV(TL3T)TR RN1110MFV(TL3T)TR-ND RN1110MFV,L3F(B RN1110MFV,L3F(T RN1110MFVL3F RN1110MFVL3F-ND RN1110MFVL3FTR RN1110MFVTL3T |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 16 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 120 @ 1mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | 100nA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 100mA |
Email: | [email protected] |