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狀況 | New and Original |
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來源 | Contact us |
分銷商 | Boser Technology |
VGS(TH)(最大)@標識: | 3V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | I-PAK |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 6 mOhm @ 78A, 10V |
功率耗散(最大): | 1.4W (Ta), 64W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Contains lead / RoHS non-compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 2250pF @ 12V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 35nC @ 4.5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 25V |
詳細說明: | N-Channel 25V 11.4A (Ta), 78A (Tc) 1.4W (Ta), 64W (Tc) Through Hole I-PAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 11.4A (Ta), 78A (Tc) |
Email: | [email protected] |