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NDD04N60Z-1G
- 型號:
- NDD04N60Z-1G
- 描述:
- MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 無鉛/符合RoHS
- 數量:
- 71189 Pieces
- 發貨時間:
- 1-2 days
- 數據表:
- NDD04N60Z-1G.pdf
簡單介紹
我們的電子郵箱：[email protected]
產品特性
| 狀況 | New and Original |
|---|---|
| 來源 | Contact us |
| 分銷商 | Boser Technology |
| VGS（TH）（最大）@標識: | 4.5V @ 50µA |
| Vgs（最大）: | ±30V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | I-PAK |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓: | 2 Ohm @ 2A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 83W (Tc) |
| 封装: | Tube |
| 封裝/箱體: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 其他名稱: | NDD04N60Z-1G-ND NDD04N60Z-1GOS NDD04N60Z1G |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Through Hole |
| 濕度敏感度等級（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds: | 640pF @ 25V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 29nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）: | 10V |
| 漏極至源極電壓（Vdss）: | 600V |
| 詳細說明: | N-Channel 600V 4.1A (Tc) 83W (Tc) Through Hole I-PAK |
| 電流 - 25°C連續排水（Id）: | 4.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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