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IXFT12N100F
IXFT12N100F
型號:
IXFT12N100F
製造商:
IXYS RF
描述:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
58309 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
IXFT12N100F.pdf
在線詢價

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS（TH）（最大）@標識:5.5V @ 4mA
Vgs（最大）:±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-268 (IXFT)
系列:HiPerRF™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:1.05 Ohm @ 6A, 10V
功率耗散（最大）:300W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級（MSL）:1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:14 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:2700pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:77nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:10V
漏極至源極電壓（Vdss）:1000V
詳細說明:N-Channel 1000V 12A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)
電流 - 25°C連續排水（Id）:12A (Tc)
Email:[email protected]

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