IRF6614TR1
IRF6614TR1
型號:
IRF6614TR1
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
[LeadFreeStatus]未找到翻译
包含鉛/ RoHS不兼容
數量:
60144 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
IRF6614TR1.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:2.25V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:DIRECTFET™ ST
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:8.3 mOhm @ 12.7A, 10V
功率耗散(最大):2.1W (Ta), 42W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:DirectFET™ Isometric ST
其他名稱:SP001525534
工作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):3 (168 Hours)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Contains lead / RoHS non-compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:2560pF @ 20V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:29nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):40V
詳細說明:N-Channel 40V 12.7A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
電流 - 25°C連續排水(Id):12.7A (Ta), 55A (Tc)
Email:[email protected]

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