IRF6610TR1PBF
IRF6610TR1PBF
型號:
IRF6610TR1PBF
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
76449 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
IRF6610TR1PBF.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:2.55V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:DIRECTFET™ SQ
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:6.8 mOhm @ 15A, 10V
功率耗散(最大):2.2W (Ta), 42W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:DirectFET™ Isometric SQ
其他名稱:IRF6610TR1PBFTR
SP001529018
工作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):3 (168 Hours)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1520pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:17nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
詳細說明:N-Channel 20V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
電流 - 25°C連續排水(Id):15A (Ta), 66A (Tc)
Email:[email protected]

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