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狀況 | New and Original |
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來源 | Contact us |
分銷商 | Boser Technology |
VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 590µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | D²PAK (TO-263AB) |
系列: | CoolMOS™ P7 |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 80 mOhm @ 11.8A, 10V |
功率耗散(最大): | 129W (Tc) |
封装: | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
其他名稱: | IPB60R080P7ATMA1CT |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Contains lead / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 2180pF @ 400V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 51nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
詳細說明: | N-Channel 650V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 37A (Tc) |
Email: | [email protected] |