HGT1S7N60C3DS9A
HGT1S7N60C3DS9A
型號:
HGT1S7N60C3DS9A
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
IGBT 600V 14A 60W TO263AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
93576 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
HGT1S7N60C3DS9A.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2V @ 15V, 7A
測試條件:480V, 7A, 50 Ohm, 15V
Td(開/關)@ 25°C:-
開關能量:165µJ (on), 600µJ (off)
供應商設備封裝:TO-263AB
系列:-
反向恢復時間(trr):37ns
功率 - 最大:60W
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
工作溫度:-
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入類型:Standard
IGBT類型:-
柵極電荷:23nC
詳細說明:IGBT 600V 14A 60W Surface Mount TO-263AB
電流 - 集電極脈衝(ICM):56A
電流 - 集電極(Ic)(最大):14A
Email:[email protected]

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