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GT10G131(TE12L,Q)
型號:
GT10G131(TE12L,Q)
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
IGBT 400V 1W 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
77421 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
GT10G131(TE12L,Q).pdf
在線詢價

簡單介紹

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我們的電子郵箱：[email protected]

產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:400V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:2.3V @ 4V, 200A
測試條件:-
Td（開/關）@ 25°C:3.1µs/2µs
開關能量:-
供應商設備封裝:8-SOP (5.5x6.0)
系列:-
功率 - 最大:1W
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級（MSL）:1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入類型:Standard
IGBT類型:-
詳細說明:IGBT 400V 1W Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
電流 - 集電極脈衝（ICM）:200A
基礎部件號:GT10
Email:[email protected]

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