GP2M004A060PG
GP2M004A060PG
型號:
GP2M004A060PG
製造商:
Global Power Technologies Group
描述:
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
56679 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
GP2M004A060PG.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:5V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:I-PAK
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:2.5 Ohm @ 2A, 10V
功率耗散(最大):86.2W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
其他名稱:1560-1194-1
1560-1194-1-ND
1560-1194-5
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:545pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:12nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):600V
詳細說明:N-Channel 600V 4A (Tc) 86.2W (Tc) Through Hole I-PAK
電流 - 25°C連續排水(Id):4A (Tc)
Email:[email protected]

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