FQP13N10L
型號:
FQP13N10L
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
69569 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
1.FQP13N10L.pdf2.FQP13N10L.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:2V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-220-3
系列:QFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:180 mOhm @ 6.4A, 10V
功率耗散(最大):65W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-220-3
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:5 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:520pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:12nC @ 5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
詳細說明:N-Channel 100V 12.8A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
電流 - 25°C連續排水(Id):12.8A (Tc)
Email:[email protected]

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