FQA6N90C-F109
FQA6N90C-F109
型號:
FQA6N90C-F109
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
59814 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
FQA6N90C-F109.pdf

簡單介紹

FQA6N90C-F109最優惠的價格和快速交貨。
BOSER Technology 是FQA6N90C-F109的經銷商,我們有立即發貨的股票,也可供長期供應。請通過電子郵件將您的FQA6N90C-F109購買計劃發送給我們,我們將根據您的計劃為您提供最優惠的價格。
我們的電子郵箱:[email protected]

產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:5V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-3PN
系列:QFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:2.3 Ohm @ 3A, 10V
功率耗散(最大):198W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-3P-3, SC-65-3
其他名稱:FQA6N90C_F109
FQA6N90C_F109-ND
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:11 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1770pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:40nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):900V
詳細說明:N-Channel 900V 6A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3PN
電流 - 25°C連續排水(Id):6A (Tc)
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求