FJN3305RTA
型號:
FJN3305RTA
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
64227 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
FJN3305RTA.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:300mV @ 500µA, 10mA
晶體管類型:NPN - Pre-Biased
供應商設備封裝:TO-92-3
系列:-
電阻器 - 發射器底座(R2):10 kOhms
電阻器 - 基座(R1):4.7 kOhms
功率 - 最大:300mW
封装:Tape & Box (TB)
封裝/箱體:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
其他名稱:FJN3305RTA-ND
FJN3305RTATB
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:7 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
頻率 - 轉換:250MHz
詳細說明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:30 @ 5mA, 5V
電流 - 集電極截止(最大):100nA (ICBO)
電流 - 集電極(Ic)(最大):100mA
基礎部件號:FJN3305
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