FDC6561AN
FDC6561AN
型號:
FDC6561AN
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
48229 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
FDC6561AN.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:3V @ 250µA
供應商設備封裝:SuperSOT™-6
系列:PowerTrench®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:95 mOhm @ 2.5A, 10V
功率 - 最大:700mW
封装:Cut Tape (CT)
封裝/箱體:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
其他名稱:FDC6561ANCT
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:42 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:220pF @ 15V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:3.2nC @ 5V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特點:Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss):30V
詳細說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
電流 - 25°C連續排水(Id):2.5A
Email:[email protected]

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