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狀況 | New and Original |
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來源 | Contact us |
分銷商 | Boser Technology |
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 16mA |
技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
系列: | eGaN® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 2.4 mOhm @ 30A, 5V |
封装: | Tape & Reel (TR) |
其他名稱: | 917-1150-2 |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 12 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1900pF @ 20V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 18nC @ 5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
漏極至源極電壓(Vdss): | 40V |
詳細說明: | N-Channel 40V 31A (Ta) |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 31A (Ta) |
Email: | [email protected] |