DRA2144W0L最優惠的價格和快速交貨。
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狀況 | New and Original |
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來源 | Contact us |
分銷商 | Boser Technology |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 250mV @ 500µA, 10mA |
晶體管類型: | PNP - Pre-Biased |
供應商設備封裝: | Mini3-G3-B |
系列: | - |
電阻器 - 發射器底座(R2): | 22 kOhms |
電阻器 - 基座(R1): | 47 kOhms |
功率 - 最大: | 200mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
其他名稱: | DRA2144W0L-ND DRA2144W0LTR |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 11 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 60 @ 5mA, 10V |
電流 - 集電極截止(最大): | 500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 100mA |
基礎部件號: | DRA2144 |
Email: | [email protected] |