DGD2181S8-13最優惠的價格和快速交貨。
BOSER Technology 是DGD2181S8-13的經銷商，我們有立即發貨的股票，也可供長期供應。請通過電子郵件將您的DGD2181S8-13購買計劃發送給我們，我們將根據您的計劃為您提供最優惠的價格。我們的電子郵箱：[email protected]
DGD2181S8-13
- 型號:
- DGD2181S8-13
- 描述:
- IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 無鉛/符合RoHS
- 數量:
- 54192 Pieces
- 發貨時間:
- 1-2 days
- 數據表:
- DGD2181S8-13.pdf
簡單介紹
我們的電子郵箱：[email protected]
產品特性
| 狀況 | New and Original |
|---|---|
| 來源 | Contact us |
| 分銷商 | Boser Technology |
| 電壓 - 電源: | 10 V ~ 20 V |
| 供應商設備封裝: | 8-SO |
| 系列: | - |
| 上升/下降時間（典型值）: | 40ns, 20ns |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 其他名稱: | DGD2181S8-13DITR |
| 工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 輸入頻率: | 2 |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| 製造商標準交貨期: | 14 Weeks |
| 邏輯電壓 - VIL，VIH: | 0.8V, 2.5V |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
| 輸入類型: | Non-Inverting |
| 高壓側電壓 - 馬克斯（引導）: | 600V |
| 門型: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 驅動配置: | Half-Bridge |
| 詳細說明: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO |
| 電流 - 峰值輸出（源，匯）: | 1.9A, 2.3A |
| 基射極飽和電壓（最大值）: | Independent |
| Email: | [email protected] |
DGD2181S8-13的相似型號
最新資訊
- Vishay推出基于VCSEL的新款高性能反射式光传感器
- 為什麼一個小充電IC Stump Apple，華為，三星？
- 電子材料對半導體行業的重要性
- 碳基半導體如何突破？
- 中國在全球電子供應鏈中的重要作用
- 500億元！阿里巴巴收購Ziguang股份的曝光
- 成功開發了國內高壓和大容量壓接IGBT芯片和器件
- 國內半導體IP迎來了轉折點，分析了Singdong Technology的優勢和機遇
- 華為哈勃投資嚴重：密切關注半導體行業
- 包裝和測試，MOSFET飆升20％！
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 新的Fabs的浪潮重新出現，半導體設備的繁榮繼續