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首  頁 > 產品展示 > 分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單 > APTM120U10DAG
APTM120U10DAG
型號:
APTM120U10DAG
製造商:
Microsemi
描述:
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
69564 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
1.APTM120U10DAG.pdf2.APTM120U10DAG.pdf
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簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS（TH）（最大）@標識:5V @ 20mA
Vgs（最大）:±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:SP6
系列:-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:120 mOhm @ 58A, 10V
功率耗散（最大）:3290W (Tc)
封装:Bulk
封裝/箱體:SP6
工作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Chassis Mount
濕度敏感度等級（MSL）:1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:28900pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:1100nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:10V
漏極至源極電壓（Vdss）:1200V
詳細說明:N-Channel 1200V 160A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6
電流 - 25°C連續排水（Id）:160A (Tc)
Email:[email protected]

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