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APTC90H12T1G
型號:
APTC90H12T1G
製造商:
Microsemi
描述:
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
81089 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
APTC90H12T1G.pdf
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簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS（TH）（最大）@標識:3.5V @ 3mA
供應商設備封裝:SP1
系列:CoolMOS™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:120 mOhm @ 26A, 10V
功率 - 最大:250W
封装:Tray
封裝/箱體:SP1
工作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Chassis Mount
濕度敏感度等級（MSL）:1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:6800pF @ 100V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:270nC @ 10V
FET型:4 N-Channel (H-Bridge)
FET特點:Super Junction
漏極至源極電壓（Vdss）:900V
詳細說明:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
電流 - 25°C連續排水（Id）:30A
Email:[email protected]

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